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晶体管

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VS-GB150TH120N

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.008 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB150TH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
参考库存:57698
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥100.7395
10:¥99.7338
25:¥92.208
100:¥84.75
参考库存:4790
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL NPN 50V 100MA EMD3
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:31762
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 10A 50V
1:¥6.6105
10:¥5.6952
100:¥4.3731
500:¥3.8646
参考库存:12889
晶体管
MOSFET P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
1:¥3.616
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:34091
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