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晶体管

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VS-GB75TP120U

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
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库存:42,203(价格仅供参考)
数量单价合计
24
¥635.0826
15241.9824
48
¥613.8725
29465.88
72
¥605.4201
43590.2472
120
¥571.6105
68593.26
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
500 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB75TP120U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 9.4A 380mOhm 18nC
1:¥7.91
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
1,000:¥3.6047
3,000:¥3.6047
参考库存:10076
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:70518
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:20480
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4297
参考库存:14192
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms
1:¥39.1884
10:¥33.3463
100:¥28.8941
250:¥27.4364
参考库存:5144
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