DDTD122TU-7-F详细参数_参考价格_DDTD122TU-7-F PDF资料_Diodes Incorporated

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	220 Ohms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTD122
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JAN2N3960	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor	100:¥147.691 300:¥135.5435 500:¥128.933	参考库存:40898
STGWA80H65FB	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed	1:¥63.0879 10:¥57.0198 25:¥54.3982 100:¥47.1775	参考库存:10438
RM15P30S8-T	Rectron	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SOP-8 MOSFET	2,500:¥3.0623 5,000:¥2.8024 10,000:¥2.5538 25,000:¥2.5086	参考库存:40905
RN1309(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 47K x 22Kohms	暂无价格	参考库存:40910
BSM35GB120DN2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 1200V 35A DUAL	10:¥489.3126 30:¥479.7076 100:¥444.5194	参考库存:40915