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晶体管
DMT6007LFGQ-7参考图片

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DMT6007LFGQ-7

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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.3167
63.167
100
¥4.8477
484.77
500
¥4.2827
2141.35
1,000
¥3.3787
3378.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
9.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
商品其它信息
优势价格,DMT6007LFGQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:10991
晶体管
MOSFET PT9N 30/12 & PT9N 25/12
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
3,000:¥5.4014
6,000:查看
参考库存:5083
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA SOT-457
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:24300
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1642
500:¥6.3393
1,000:¥5.0059
参考库存:7097
晶体管
MOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.0683
参考库存:2579
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