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晶体管
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NID6002NT4G

  • ON Semiconductor
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
70 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
14 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
NID6002N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
下降时间
660 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
250 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
840 ns
典型接通延迟时间
96 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NID6002NT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥51.9461
10:¥46.9515
25:¥44.7254
100:¥38.8042
参考库存:4378
晶体管
MOSFET Quad N-Channel Array
1:¥36.6572
10:¥32.7361
25:¥29.4252
50:¥28.6568
参考库存:3970
晶体管
MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
1:¥27.5833
10:¥24.6679
25:¥22.2045
50:¥21.5943
参考库存:3642
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Noise 60Vcbo 40Vceo 8.0pF
1:¥73.3031
10:¥72.6929
25:¥66.2406
100:¥59.777
参考库存:3749
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
1:¥1.5368
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:9981
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