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晶体管
STB20NM50FDT4参考图片

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STB20NM50FDT4

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
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数量单价合计
1
¥40.567
40.567
10
¥34.4198
344.198
100
¥29.8885
2988.85
250
¥28.3517
7087.925
1,000
¥21.4361
21436.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
192 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB20NM50FD
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB20NM50FDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP3017SFK-13
Diodes Incorporated
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暂无价格
参考库存:23365
NTMFS4C10NAT3G
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1:¥3.4578
10:¥2.8137
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
1,500:¥1.13
参考库存:23370
RN1109,LF(CT
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:23375
ADTA113ZCAQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
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参考库存:23380
SBCW30LT1G
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON TRANSISTOR PLAST
1:¥3.0736
10:¥2.0114
100:¥0.86784
1,000:¥0.66896
3,000:¥0.50737
参考库存:47977
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