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晶体管
IRFR18N15DTRLP参考图片

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IRFR18N15DTRLP

  • Infineon / IR
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库存:28,288(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4805
2740.25
1,000
¥4.3279
4327.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
9.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
零件号别名
SP001572838
商品其它信息
优势价格,IRFR18N15DTRLP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥44.9514
10:¥36.1148
25:¥35.4255
100:¥32.883
参考库存:22793
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥1.07576
参考库存:22798
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥354.1533
5:¥343.4748
10:¥333.4065
25:¥312.5806
参考库存:22803
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
3,000:¥0.99101
9,000:¥0.92208
参考库存:92400
晶体管
MOSFET 30V 28A 5.2W 4.0mohm @ 10V
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥12.2944
500:¥11.526
1,000:¥10.5316
3,000:¥9.5259
参考库存:17402
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