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晶体管
SSM6J50TU,LF参考图片

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SSM6J50TU,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-2.5A VDSS=-20V
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数量单价合计
1
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3.2996
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.2204
122.04
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.7684
2305.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UF-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM6J50TU
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
3.1 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6J50TU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRG7PH46UD-EP
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1:¥91.1345
10:¥83.7556
25:¥80.2978
100:¥70.7719
参考库存:4312
STD7ANM60N
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10,000:查看
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IKQ120N60TXKSA1
Infineon Technologies
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FDMC89521L
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3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:54663
IPG20N06S2L-35
Infineon Technologies
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1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9777
500:¥5.2884
5,000:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:76345
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