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晶体管
IPP65R190C6参考图片

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IPP65R190C6

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库存:5,774(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.052
23.052
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.9839
1698.39
250
¥16.1364
4034.1
500
¥14.4414
7220.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
133 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R19C6XK SP000849360
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,IPP65R190C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS434DN-GE3
1:¥7.5258
10:¥6.2037
100:¥4.7573
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
3,000:¥3.2318
参考库存:32147
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:44209
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:54081
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,000:¥3.1753
参考库存:4828
晶体管
达林顿晶体管 DARL NPN 30V .3A
1:¥3.5369
10:¥2.6781
100:¥1.4577
1,000:¥1.09158
3,000:¥0.9379
参考库存:29500
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