您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
SGH20N60RUFDTU参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

SGH20N60RUFDTU

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:4,457(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.5098
26.5098
10
¥22.5096
225.096
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
32 A
Pd-功率耗散
195 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGH20N60RUFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
32 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
32 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
SGH20N60RUFDTU_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,SGH20N60RUFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel
69:¥103.508
100:¥95.2025
250:¥86.8292
500:¥81.1453
参考库存:47789
晶体管
MOSFET -30V, -36A, Single P Channel Power MOSFET
10,000:¥1.5707
20,000:¥1.5142
参考库存:47794
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
2,500:¥6.8591
5,000:查看
参考库存:47799
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage Fast Switching NPN Transistor with diode
15,000:¥2.0227
24,375:¥1.9436
参考库存:47804
晶体管
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms
3,000:¥6.4749
6,000:¥6.2263
9,000:¥5.989
参考库存:47809
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号