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晶体管
VN3205N3-G P003参考图片

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VN3205N3-G P003

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1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.1474
101.474
25
¥8.4524
211.31
100
¥7.684
768.4
2,000
¥4.9607
9921.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，VN3205N3-G P003的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVMUN5212DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.39211
参考库存:155766
DZT955-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 1W
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,500:¥1.4012
参考库存:12723
2SK3475TE12LF
Toshiba
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1:¥17.4472
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:4890
MPQ6002
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Quad NPN/PNP
1:¥37.2674
10:¥33.2672
100:¥30.2727
250:¥27.3573
参考库存:1747
2N5339
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Current
1:¥68.6927
10:¥68.0825
25:¥62.0144
100:¥56.0141
参考库存:2339
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