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晶体管
DXT2011P5Q-13参考图片

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DXT2011P5Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor
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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7573
47.573
100
¥3.0623
306.23
1,000
¥2.4634
2463.4
5,000
¥2.4634
12317
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-5
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
180 mV
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
300
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
Pd-功率耗散
3.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
单位重量
93 mg
商品其它信息
优势价格,DXT2011P5Q-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:80678
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:10685
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
500:¥14.6787
参考库存:7232
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.70738
24,000:查看
参考库存:44594
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:74556
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