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晶体管
NVMFD5C680NLT1G参考图片

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NVMFD5C680NLT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET T6 60V LL S08FL DS
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.5935
55.935
100
¥4.3053
430.53
500
¥3.8081
1904.05
1,000
¥2.9945
2994.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms, 23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5 nC, 5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
19 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVMFD5C680NL
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
50 S, 50 S
下降时间
23 ns, 23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns, 25 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns, 6.4 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFD5C680NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:42273
DMT34M2LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.39
1,000:¥2.712
参考库存:42278
DDTA114WE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 4.7K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:42283
2N5859
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
500:¥30.2727
1,000:¥28.589
2,000:¥27.5042
参考库存:42288
DDTC115TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:63596
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