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晶体管
IKW25N120H3FKSA1参考图片

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IKW25N120H3FKSA1

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库存:5,226(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.72
49.72
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.1883
3718.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25N120H3 IKW25N12H3XK SP000674418
单位重量
5.420 g
商品其它信息
优势价格,IKW25N120H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:30535
晶体管
MOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA
1:¥5.1528
10:¥4.2375
100:¥2.7346
1,000:¥2.1922
8,000:¥1.7854
24,000:查看
参考库存:234452
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 450V 125W NPN
1:¥11.2209
10:¥9.5259
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,000:¥5.1076
参考库存:39479
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 3A
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.4238
参考库存:39941
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥14.1363
500:¥12.3735
参考库存:38053
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