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晶体管
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BSO040N03MS G

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数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9099
590.99
500
¥5.2206
2610.3
1,000
¥4.1245
4124.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
9 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
BSO040N03MSGXUMA1 BSO4N3MSGXT SP000446070
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，BSO040N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTC143EU,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:57208
DTA144EKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL PNP 50V 30MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:53985
2N6668
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Pwr Darlington
1:¥18.6676
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6842
1,000:¥9.6841
参考库存:7662
RN1302,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:22724
IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥33.2672
10:¥28.2726
100:¥24.5097
250:¥23.278
参考库存:5476
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