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晶体管
CSD17551Q3A参考图片

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CSD17551Q3A

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V N-Chnl MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.537
55.37
100
¥3.5821
358.21
1,000
¥2.8702
2870.2
2,500
¥2.599
6497.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
48 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17551Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
101 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
27.600 mg
商品其它信息
优势价格，CSD17551Q3A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3737UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥158.2113
250:¥145.2276
500:¥138.1538
参考库存:42944
JANTXV2N5153U3
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥995.1571
参考库存:42949
2N2221AL
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥91.4396
10:¥83.1454
25:¥76.84
50:¥72.6929
参考库存:42954
STB21N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
1:¥40.567
10:¥34.4198
100:¥29.8885
250:¥28.3517
1,000:¥21.4361
2,000:查看
参考库存:14494
RN1115MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 2.2Kohms x 10Kohms
暂无价格
参考库存:42961
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