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晶体管
STLD128DNT4参考图片

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STLD128DNT4

  • STMicroelectronics
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN power transistor
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2658
52.658
100
¥3.4013
340.13
1,000
¥2.7233
2723.3
2,500
¥2.2939
5734.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
18 V
最大直流电集电极电流
6 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STL128DN
直流电流增益 hFE 最大值
10
高度
2.4 mm
长度
6.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
8
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,STLD128DNT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80 mohms @ 10V
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
3,000:¥1.8419
6,000:查看
参考库存:22347
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM53DS SC-74
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
参考库存:51944
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
1:¥4.3844
10:¥3.6273
100:¥2.2148
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
10,000:¥1.4351
参考库存:126946
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥40.6461
10:¥33.6514
100:¥27.7415
250:¥26.8149
参考库存:22356
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
参考库存:16953
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