BSS84-7-F详细参数_参考价格_BSS84-7-F PDF资料_Diodes Incorporated

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	50 V
Id-连续漏极电流	130 mA
Rds On-漏源导通电阻	10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	800 mV
Vgs - 栅极-源极电压	5 V
Qg-栅极电荷	0.28 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	300 mW
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.9 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	BSS84
晶体管类型	1 P-Channel
类型	Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度	1.3 mm
商标	Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值	0.05 S
产品类型	MOSFET
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	18 ns
典型接通延迟时间	10 ns
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IKZ75N65EL5XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS	1:¥70.5346 10:¥63.7772 25:¥60.7827 100:¥52.7936	参考库存:3516
DMN100-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel	1:¥4.4522 10:¥3.7516 100:¥2.2939 1,000:¥1.7628 3,000:¥1.5029	参考库存:26248
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NSBC124EDXV6T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual NPN	1:¥2.6894 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942 4,000:¥0.71416 8,000:¥0.66896	参考库存:46072
PZT751T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 80V PNP	1:¥3.2996 10:¥2.486 100:¥1.3447 1,000:¥1.01474 2,000:¥0.86784	参考库存:52959