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晶体管
BSZ900N20NS3GATMA1参考图片

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BSZ900N20NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
5,000
¥5.2432
26216
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
15.2 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
BSZ900N20NS3 BSZ9N2NS3GXT G SP000781806
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ900N20NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4864
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥104.9657
10:¥95.4398
25:¥88.2078
50:¥83.4505
参考库存:39611
DTA123JKAT246
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL PNP
1:¥2.147
10:¥1.4464
100:¥0.5989
1,000:¥0.41471
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:39616
BSP62H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
达林顿晶体管 AF TRANSISTORS
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
2,000:¥1.2091
参考库存:39621
JAN2N4033
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥153.9851
10:¥140.007
25:¥129.4754
50:¥122.4807
参考库存:39626
FF400R33KF2C
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 3300V 400A DUAL
1:¥9,870.1771
5:¥9,712.4178
参考库存:39631
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