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晶体管
STL12N10F7参考图片

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STL12N10F7

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
13.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
系列
STL12N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28.6 ns
典型接通延迟时间
22.4 ns
商品其它信息
优势价格,STL12N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 65V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:152467
晶体管
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:3589
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.4069
1,000:¥1.921
参考库存:8486
晶体管
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.5258
参考库存:5028
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR PNP 45V
1:¥1.3786
10:¥1.2091
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:49270
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