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ALD212908SAL

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数量单价合计
1
¥40.341
40.341
10
¥36.1148
361.148
25
¥32.4988
812.47
50
¥31.6626
1583.13
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
79 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
780 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD212908S
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格，ALD212908SAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH60D3DPP-M0#T2
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参考库存:41676
DTC323TKT146
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双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL 15V 600MA
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:41681
BC817-40W RFG
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥2.0001
10:¥1.8419
100:¥1.1978
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.32996
参考库存:41686
BF556A,235
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IMD8AT108
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双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 100MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:41696
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