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晶体管
IRG4PC60FPBF参考图片

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IRG4PC60FPBF

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数量单价合计
1
¥63.619
63.619
10
¥57.4718
574.718
25
¥54.7824
1369.56
100
¥47.5617
4756.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
520 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532584
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PC60FPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 SM6, -50V, -100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:17363
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:40440
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR PNP 50V
1:¥1.1526
10:¥1.02152
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:150827
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4464
参考库存:50019
晶体管
MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:30546
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