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晶体管
SI2347DS-T1-GE3参考图片

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SI2347DS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.2769
127.69
500
¥1.03734
518.67
3,000
¥0.69156
2074.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2347DS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.6159
10:¥1.05994
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
参考库存:455955
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 250V 50W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:14152
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab)
1:¥3.3787
10:¥2.9945
25:¥2.7007
100:¥2.3617
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:132344
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 200V 250W NPN
1:¥59.7092
10:¥53.9462
50:¥51.4828
100:¥44.6463
参考库存:3991
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥5.537
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,500:¥2.3617
参考库存:28628
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