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晶体管
IPA80R900P7XKSA1参考图片

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IPA80R900P7XKSA1

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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2998
729.98
500
¥6.4523
3226.15
1,000
¥5.0963
5096.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
770 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPA80R900P7 SP001633482
商品其它信息
优势价格,IPA80R900P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:45146
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥3.6725
4,000:¥3.3561
10,000:¥3.2657
参考库存:45151
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 65A 40V 88W 2800pF 0.0045
2,000:¥5.4014
4,000:¥5.198
10,000:¥4.9946
参考库存:45156
晶体管
MOSFET N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
10,000:¥1.2656
参考库存:45161
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
1:¥70.1504
10:¥63.167
25:¥57.5509
100:¥51.9461
1,000:¥37.8776
2,000:查看
参考库存:45166
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