BSM180D12P3C007详细参数_参考价格_BSM180D12P3C007 PDF资料_ROHM Semiconductor

分立半导体模块

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power Semiconductor Modules
类型	SiC Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压	- 4 V, 22 V
安装风格	Screw Mount
封装 / 箱体	Module
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BSMx
封装	Tray
配置	Half-Bridge
商标	ROHM Semiconductor
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
典型延迟时间	50 ns
下降时间	50 ns
Id-连续漏极电流	180 A
Pd-功率耗散	880 W
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
上升时间	70 ns
工厂包装数量	12
子类别	Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间	165 ns
典型接通延迟时间	50 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	2.7 V
零件号别名	BSM180D12P3C007

商品其它信息

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