APTM50H15FT1G详细参数_参考价格_APTM50H15FT1G PDF资料_Microsemi

分立半导体模块

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power MOSFET Modules
类型	Full Bridge
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	SP1-12
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 100 C
封装	Tube
配置	Quad
商标	Microchip / Microsemi
晶体管极性	N-Channel
下降时间	26 ns
Id-连续漏极电流	25 A
Pd-功率耗散	208 W
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻	130 mOhms
上升时间	35 ns
工厂包装数量	1
子类别	Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间	80 ns
典型接通延迟时间	29 ns
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
单位重量	80 g

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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